瞬态抑制二极管阵列 
  
 
   
> 雷击电涌保护 
SLVU2.8-8.TBT 双向 TVS 二极管阵列, 600W, 17V, 8针 SOIC封装
 
EPD TVS 二极管，用于 ESD 和闩锁保护，SLVU2.8  SLVU2.8-4 SLVU2.8-8系列
 
400 W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)瞬时保护，
 用于高速数据线路至IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），±8kV（触点）IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
 IEC 61000-4-5（雷电）24A (8/20μs)
 
 
  
   
  
 
   
 
    
 
     
No.
 
     
Product
 
     
Datasheet
 
     
 
 
     
Stand-off Vwm(V) Max
 
     
Breakdown Voltage V(BR) Min
 
     
Clamping Voltage Vc (V) Max
 
     
Leakage Current Ip (uA) Max
 
     
Typical Capacitence C(PF) TYP
 
     
Package
 
    
 
    
 
     
1
 
     
SLVU2.8
 
     
 
 
     
 
 
     
2.8
 
     
3.0
 
     
3.9
 
     
1
 
     
3.5
 
     
SOT23
 
    
 
    
 
     
2
 
     
SLVU2.8-4
 
     
 
 
     
 
 
     
2.8
 
     
3.0
 
     
5.5
 
     
1
 
     
3.5
 
     
SOP-8
 
    
 
    
 
     
3
 
     
SLVU2.8-8
 
     
 
 
     
 
 
     
2.8
 
     
3.0
 
     
5.5
 
     
1
 
     
8
 
     
SOP-8
 
    
 
   
 
  
   
  
 
   

 LC03-3.3
 瞬态抑制二极管阵列SPA LC03规格书
 系列详细资料
 
 断态电压（V）: 3.3I
 漏率（μA）: 1
 ESD触点（kV）: 30
 
   
 
    
 
     
 
      
 
      SP03-3.3
 瞬态抑制二极管阵列SP03-3.3规格书
 系列详细资料
 150A /3.3V 用于宽带保护的低电容二极管阵列
 断态电压（V）: 3.3
 I漏率（μA）: 1
 ESD触点（kV）: 30
 
 SP03-6
 瞬态抑制二极管阵列SP03-6规格书
 系列详细资料
 用于宽带保护设备的150安培6伏低电容二极管阵列
 断态电压（V）: 6
 I漏率（μA）: 25
 ESD触点（kV）: 30
 
 SP03A-3.3
 SPA SP03A-3.3系列瞬态抑制二极管阵列规格书
 系列详细资料
 150A /3.3V 用于宽带保护的低电容二极管阵列
 断态电压（V）: 3.3
 I漏率（μA）: 1
 ESD触点（kV）: 30