6英寸碳化硅单晶棒生产商
 
苏州恒迈瑞公司生产供应6英寸碳化硅晶棒，可分为测试级碳化硅晶棒和产品级碳化硅晶棒。各尺寸碳化硅衬底片，类型分为导电型4H-N 掺杂氮和非掺杂4H-SI型。SiC器件相对于Si器件的优势主要来自三个方面：降低电能转换过程中的能量损耗、容易实现小型化、耐高温高压。SiC材料开关损耗极低，全SiC功率模块的开关损耗大大低于同等IGBT模块的开关损耗，而且开关频率越高，与IGBT模块之间的损耗差越大，这就意味着对于IGBT模块不擅长的高速开关工作，全SiC功率模块不仅可以大幅降低损耗还可以实现高速开关。
 
SiC是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一，技术也已经趋于成熟，令其成为实现新能源汽车  性能的理想选择。与传统解决方案相比，基于SiC的解决方案使系统效率高、重量轻及结构紧凑。目前SiC器件在EV/HEV上应用主要是功率控制单元、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等方面。