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众所周知， 电容， 两边加上电压， 就能开始充电储存电荷. 理想状态下, 就是一个C：
 
可现实永远是残酷的， 你会发现你所做的一切几乎都是和在这些非理想的问题作斗争。
 
ESR(Equivalent Series Resistance):
 
如果你去看电容的datasheet(比如去Murata的管网随便找一个), 每个非理想电容都会有一个叫ESR的指标. 顾名思义, 电容本身会有一个等效串联电阻, 那么电容的等效电路就变成了：
 
这个电阻一般有多大呢? 通常是在100mΩ ~ 1000mΩ不等, 具体数值大小根据电容种类和电容值大小来定, 这里先不细说, 我会在之后比较不同电容的区别时详细讲解。
 
那么肯定会有人问这么小的串联电阻，会有什么大的影响么? 不好意思, 还真会有, 在要求极其苛刻情况下还会把两个电容并联以减小ESR。 比如 LDO 的output capacitor，如果这个ESR过大或者过小， 很有可能会引起LDO的stability问题。
 
另一方面, 当电容被用做电源的decoupling cap时, 你希望的是这个R越小越好. 当电容被用做的decoupling cap时, 其作用是为了提供高频的电流供给. 假如你的芯片电源会有一个非常短暂的100mA的peak current, 而且这个电流几乎是你的decoupling cap来提供的, 如果你的电容ESR有1Ω,想象一下100mA的电流流过这个电阻, 到达另一端的时候, 已然有了100mV的压降了。
 
所以一句话： 通常情况下， 你希望这个电阻越小越好。 除了用于例如LDO的输出电容， ESR的大小会影响到LDO的稳定性，但这个问题说来话长，有机会单独开一篇细讲。
 
 
 
2220 X7R 1KV 100NF 10%  
 2220 X7R 630V 220NF 10%
 1812 X7R 1KV 47NF 10%
 1812 X7R 630V 100NF 10%
 1812 X7R 250V 470NF 10%  
 1210 X7R 1KV 10NF 10%  
 1210 X7R 630V 22NF 10%   
 1210 X7R 63V 10UF 10%
 1210 X5R 10V 100UF 20%    
 1210 X7S 6.3V 100UF 20%  
 1210 X7R 630V 47NF 10%  
 1210 X7R 630V 33NF 10%
 1210 X7R 250V 220NF 10% 
 1210 X7R 25V 10UF 10 
 1206 X7R 50V 4.7UF 10%    
 1206 X5R 50V 10UF 10%    
 1206 X5R 10V 100UF 20%
 1206 X5R 6.3V 22UF 20%
 0805 X5R 6.3V 100UF 20%   
 1206 X7R 630V 10NF 10%    
 
2220 X7S 100V 10UF 20%车规
 2220 X7R 16V 47UF 20%车规
 2220 X7R 250V 1UF 10% 车规
 2220 X7R 50V 10UF 10% 车规
 1812 X7T 250V 1UF 20% 车规
 1812 X7R 25V 22UF 20% 车规
 1808 X7R 2KV 1NF 10% 车规
 1210 X7S 50V 10UF 10% 车规
 1210 X7S 6.3V 47UF 20% 车规
 1210 X7R 16V 22UF 20% 车规
 1210 X7S 100V 4.7UF 10% 车规软端子
 1210 X7S 100V 4.7UF 10% 车规
 1210 X7R 50V 2.2UF 10% 车规
 1206 X7R 50V 1UF 10% 车规
 1206 X7R 100V 470NF 10% 车规
 1206 X7R 50V 680NF 10% 车规
 1206 X7R 50V 470NF 10% 车规
 1206 X7R 16V 10UF 10% 车规
 1206 X7R 6.3V 22UF 20% 车规
 0805 X7R 100V 100NF 10% 车规
 0805 X7R 50V 220NF 10% 车规
 0805 X7R 50V 100NF 10% 车规
 2220 X7T 450V 680NF 10%  
 2220 X7T 450V 1UF 10%
 2220 X7T 630V 470NF 10%  
 2220 X7T 250V 2.2UF 10%
 2220 X7S 100V 15UF 20%
 2220 X7S 100V 10UF 10%