DENTON离子束溅射系统-丹顿IBS
 
 
系统技术规格：
 
当配置为离子束沉积时，多可以安装四个直径5英寸靶材
 
提供单旋转倾斜式工装夹具，工件尺寸6英寸或8英寸，带水冷；
 
为获得好的均匀性，提供行星式倾斜式工装夹具，三个6英寸行星工件盘，带水冷；
 
可以沉积无漂移光学薄膜；
 
可以在低于10-4 torr的真空度下沉积，成膜纯度；
 
配置双离子源时，可以实现基片预清洗，膜层附着力；
 
全自动成膜工艺控制；
 
高真空低温泵或涡轮分子泵可选；
 
对于离子束沉积，成膜厚度控制可以采用时间控制或石英晶体膜厚控制仪控制；
 
离子束沉淀适合材料：
 
     介质材料：SiO2,Ta2O5,Al2O3,TiO2,Si3N4等
 
     金属材料：W, Au, Cu, Pt, NiFe, CrCo,Si等
 
离子束溅射的优点：
 
成膜粒子动能大，因此，膜层致密性好，针眼少，对环境稳定
 
成膜真空度高（10-4TORR），因此，膜层纯度高
 
可以提供工件预处理以膜层附着力
 
独立控制离子能量和离子束流，可以提供大的工艺灵活性，控制成膜组分，应力，围观结构等
 
稳定的沉淀速率，突出的膜层厚度控制和稳定的成膜均匀性
 
自动化控制-地工艺控制
 
倾斜式单旋转工件盘：
 
直径六英寸或八英寸的工件盘可选
 
水冷型
 
突出的沉积和刻蚀均匀性
 
倾斜式
 
可以通过调整倾斜角度得到工艺要求的台阶覆盖率
 
可以通过调节调节倾斜角度进一步均匀性
 
倾斜行星式工件盘：
 
三个直径六英寸的水冷型行星盘
 
采用行星式工件盘以得到好的均匀性
 
突出的沉淀和刻蚀均匀性
 
倾斜式
 
离子束溅射沉积源：
 
多种型号射频或直流离子源可选
 
射频（3cm,6cm）
 
适合溅射工艺
 
污染小（无灯丝）
 
非常适合溅射介质材料，可以用于溅射金属
 
维护间隔时间超过200小时
 
直流（3cm,5cm,8cm）
 
适合非反应溅射工艺
 
多种配置可供选择
 
等离子体桥状中和器：增强反应溅射工艺能力和小维护时间间隔在25-45小时
 
空心阴极中和器：减小污染，维护间隔时间长达150小时
 
非常适合溅射金属，可以用于溅射介质材料
 
离子源栅极选项：
 
材质：
 
石墨：适合无反应工艺
 
钼：适合大多数反应工艺
 
栅网结构：聚焦型离子源
 
发散型辅助或者预清洗源
 
采用三栅网结构可以使溅射工艺加稳定
 
四栅网结构
 
靶材夹具：
 
当配置用于溅射时，配置水冷型四靶材夹具。可以装多四个直径5英寸的靶材。
 
泵选项：
 
机械泵：油泵/干泵
 
高真空泵：CTI低温冷凝泵/涡轮分子泵
 
终点控制：
 
溅射工艺：
 
时间控制：通常用于简单沉积工艺，少于20层；
 
石英晶体膜厚控制仪：MAXTEK260/360C，石英晶体失效情况下，采用时间控制