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SI4848DY-T1 场效应管 SOP8
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¥1.42
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深圳市微碧半导体有限公司

百销通基础版 资质认证

N沟道,150V,5.4A,80mΩ@10V

  • 技术参数

品牌: VBsemi台湾微碧
型号: SI4848DY-T1
批号: 20+
封装: SOP8
沟道类型: N沟道
漏源电压(Vdss): 150V
漏极电流(Id): 5.4A
漏源导通电阻(RDS On): 80mΩ@10V
栅源电压(Vgs): ±20V
**耗散功率(W): 5.9
  • 品牌介绍

VBE1206 MOS管 场效应管 TO252148431375

  •  规格书

页面提取自-SI4848DY-T1.pdf.jpg

  • 用途/应用领域

3C数码、安防设备、测量仪器、广电教育、家用电器、军工/航天、可穿戴设备、汽车电子、网络通信、物联网loT、新能源、医疗电子、照明电子、智能家居

 

 

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