铁锂电池保护芯片,钛酸锂电池保护芯片
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10000000只
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广东省/深圳市
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深圳市鑫顺祥科技有限公司

主营产品:
华润矽威pt4115,华润矽威pt4205,华润矽威pt6007,华润矽威pt6003 锂电池保护芯片,pt4119 降压型dc-dc驱动方案,华润矽威pt4121,OC5266,S4422
- 产品参数 -
商标 华润矽威
型号 PT6307
规格 SSOP-20
包装 2.5K
是否有现货
封装 SSOP
功能结构 模拟集成电路
制作工艺 半导体集成电路
导电类型 双极型
外形 扁平型
集成度高低 大规模集成电路
应用领域 标准通用
型号 PT6307
规格 SSOP-20
商标 华润矽威
包装 2.5K
- 产品详情 -
 
铁锂电池保护芯片,钛酸锂电池保护芯片  基本介绍
PT6307 是一款专为保护4~7 串锂离子/聚合物电池、
铁锂电池或钛酸锂电池的电池保护芯片,可降低因电
池过充,过放,过温和/或过流条件而导致的电池损坏或寿
命缩短的风险。
±25mV 的过充电检测电压精度保证电池 的全容量
充电。±10mV 的电流检测电压精度保证放电过流准确触
发。
PT6307 的充电过温保护阈值和放电过温保护阈值可通
过外部电阻独立设置。
PT6307 可以直接驱动外部N 型的充电MOSFET 和N
型放电MOSFET。
PT6307 的低功耗设计让电池包在存储阶段只消耗微不
足道的电流。
铁锂电池保护芯片,钛酸锂电池保护芯片 性能特点 (除基本功能外的其它特质,例如工作时长、操作简便性等)
? 内置高精度电压检测电路:
? 过充电检测电压:
VCOV = 2.80V/3.80V/4.25V
精度:±25mV
? 过充电恢复电压:
VCOVR = 2.50V/3.60V/4.05V
? 过放电检测电压:
VCUV=1.5V/2.0V/2.3V/2.7V
精度:±80mV
? 过放电恢复电压:
VCUVR = 1.7V/2.3V/3.0V
? 内置三段放电过电流检测电路:
? 过电流1 检测电压:
VPDOC1= 50mV to 150mV;25mV/step
精度:±10mV
? 过电流2 检测电压:
VPDOC2= 2* VPDOC1
精度:±20mV
? 负载短路检测电压:
VPSC= 5* VPDOC1
精度:±50mV
? 内置独立的充电过温和放电过温保护,可通过外部电阻
独立设置充电过温保护阈值和放电过温保护阈值
? 内置充电低温保护
? 各种延迟时间可通过外部电容设置
? 低消耗电流:
? 工作状态时:VCC 典型值25μA
? 休眠状态时:< 1μA
? 封装:SSOP-20
铁锂电池保护芯片,钛酸锂电池保护芯片  技术参数 (例如材质、工艺、尺寸的技术标准等)
极限参数(注1)
(无特别说明,Ta=25°C)
参数 符号 对应引脚 参数范围 单位
VCC引脚输入电压范围 VCC VCC VSS-0.3 to VSS+35 V
低压引脚电压范围 VIN_LV
CS, CUVT, COVT, TS,
VTD, VTC
VSS-0.3 to VSS+5.5 V
VM 引脚电压范围 VVM VM VSS-0.3 to VCC+0.3 V
电池输入引脚电压范围
VC(n) to VC(n-1), n=2 to 7;
VC1 to VSS
VCELL
(VC7, VC6), (VC6,VC5),
(VC5,VC4), (VC4,VC3),
(VC3,VC2), (VC2,
VC1),(VC1, VSS)
-0.3 to +8 V
电池输入引脚电压范围
VC(n), n=1 to 7;
VC(n) VC(n) VSS-0.3 to VSS+35 V
CDRV 引脚电压范围 VCDRV CDRV VCC-35 to VCC+0.3 V
DDRV 引脚电压范围 VDDRV DDRV VSS-0.3 to VSS +15 V
ESD (HBM) (注2) ±2 KV
工作结温范围 TA -40 to +85 °C
存储温度范围 TSTG -40 to +125 °C
PN 结到环境热阻(SSOP-20) JA ? 130 °C/W
注1:最大极限值是指超出该工作范围
注2:HBM: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014
铁锂电池保护芯片,钛酸锂电池保护芯片 使用说明 (例如使用场所、工作原理、产品结构、安全操作说明等)
功能描述
1. 上电过程
当电源接入,VCC 上升,充电MOSFET 默认打开,
放电MOSFET 默认关闭;当VCC≥VPOR,PT6307 将检测
是否有放电保护事件发生。如果没有放电保护事件且负载
断开,DDRV 驱动放电MOSFET 打开,PT6307 进入正常
工作状态。
2. 放电过电流保护
PT6307 有三段放电过电流保护功能。
PDOC1: 当VCS≥VPDOC1 且延迟时间TD≥TPDOC1 ,
PDOC1 触发,放电MOSFET 关闭。
PDOC2: 当VCS≥VPDOC2 且延迟时间TD≥TPDOC2 ,
PDOC2 触发,放电MOSFET 关闭。
PSC:当VCS≥VPSC 且延迟时间TD≥TPSC,PSC 触发,
放电MOSFET 关闭
PDOC1,PDOC2 和PSC 只有在负载开路时才会解
除。
3. 温度保护
在正常工作条件下,PT6307 周期性(TTDET)轮流检
测充电温度保护和放电温度保护。
放电状态
DOT:PT6307 一旦检测到电池组的温度高于放电过温
保护阈值tDOT 两次,放电过温保护DOT 触发,充放电
MOSFET 同时关闭。
DOT 恢复:当以下条件发生时,放电过温保护状态将
被解除。
a) 电池组温度降低至放电过温恢复阈值tDOTR
及以下。
当DOT 恢复时, 充电MOSFET 打开, 放电
MOSFET 打开需要满足以下条件:
a) 负载被移除或者充电器插入。
充电状态
COT:PT6307 一旦连续检测到电池组的温度高于充电
过温保护阈值tCOT 两次,充电过温保护COT 触发,充电
MOSFET 关闭。
COT 恢复:当以下两个条件之一发生时,充电过温保
护状态就会被解除。
a) 电池组温度低于充电过温保护恢复阈值tCOTR
及以下。
b) 检测到放电电流。
CUT:PT6307 一旦连续检测到电池组的温度低于充电
低温保护阈值tCUT 两次,充电低温保护CUT 触发,充电
MOSFET 关闭。
CUT 恢复:当以下两个条件之一发生时,充电低温保
护状态就会被解除。
a) 电池组温度高于充电低温保护恢复阈值tCUTR
及以上。
b) 检测到放电电流。
DOT、COT、CUT 阈值设定
图5 是温度检测电路,热敏电阻为B=3435 的NTC:
103AT。
R1
103AT
R2
TS
VTD
VTC
VSS
Current sense resistor
Discharge current direction
PT6307
图5.温度检测电路
DOT 阈值设定
如图5,DOT 阈值由连接到VTD 的电阻R1 设定:
R1=9*RDOT
采购须知 (例如发货时间、运输方式、售后服务事项等)
 
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