主要特点：

最大化降低客户总拥有成本（TCO）
  键合温度450度，压力10KN
  的硅片低压契型补偿系统以提高良率
温度均匀性： <+/- 1% ；压力均匀性：<+/- 5%
工艺菜单与其他键合系统通用
高真空键合腔室 (可低至 10-5 mbar，使用分子泵)
开放式腔室设计便于快速转换和维护
基于Windows 的控制软件和操作界面
最小化占地占地面积--- 200 mm键合系统占地 0.88 m2

应用范围

主要应用于MEMS制造、微流体芯片、化合物半导体的薄片处理、晶圆级  封装以及3D互联、TSV工艺。

图1
图2



技术参数：
 
 
 
 
 
加热器尺寸=  晶片尺寸（mm） 
150mm 或200mm 
  硅片直径 
150mm加热器：单一小片或碎片；200mm加热器：100mm 
键合卡盘/对准系统 
150mm加热器 
EVG610，EVG620，EVG6200 
200mm加热器 
EVG6200，MBA300，Smartview 
键合腔 
  接触压力 
3.5KN，10KN，20KN 
最高温度 
450℃ 
真空度 
0.1mbar(标配)，1E-5（可选） 
阳极键合功率 
0-2000V，0-50A 
腔室个数 
1 
上料腔室 
手动 
工艺菜单 
与其他键合设备兼容