蓝宝石GaN氮化 晶圆生产厂家
 
恒迈瑞公司目前自支撑氮化 衬底片有2英寸氮化 衬底片和方形10*10.5mm2氮化 衬底片材料，导电类型分为n型非掺杂、n型si掺杂，及Fe掺杂半绝缘氮化 晶片。产品等级有测试级，研究级和产品级氮化 衬底。另外衬底结构为GaN on Sapphire的氮化 复合衬底有2英寸和4英寸。
 
GaN是第三代半导体材料，相比于第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等，它具备比较突出的优势特性。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载  的能量密度，可靠性  ；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。利用GaN人们可以获得具有  带宽、  放大器增益、  能效、尺寸 小的半导体器件。